ARM牵手GF格芯:成功流片12nm高性能3D芯片

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3D闪存已然成为SSD产品线中的主要技术流派,现在看来,ARM芯片也要朝這個方向发展。

GlobalFoundries (GF,格芯)本周表态 ,成功基于自家的12nm FinFET工艺(12LP)流片了高性能的ARM 3D芯片。

格芯称,此次突破是因为着能效更优秀的高密度移动芯片、无线芯片、AI/ML处理方案成为我你都都上能。

3D芯片说白了至少盖楼,它不仅还才能减少芯片面积,还能提高內部的互联传输时延,减少延迟。去年,Intel首次对外公开了自家的Fevoros 3D堆叠芯片技术,AMD更是从率先应用HBM显存现在开始了就表现出对2.5D/3D封装的浓厚兴趣。

实在格芯遗憾退出了7nm节点,但12nm相当性性性性心智心智心智性性成熟期是什么 图片 图片 稳定,跟我说对于做3D芯片还才能减少太满太满未知问题。

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